99.5% ψεκάζοντας στόχος 3x3mm 6x6mm χρωμίου 99,9% 99,95% για το υλικό εξάτμισης

Κύλινδρος χρωμίου για την εξάτμιση 99,5%, 99,9%, 99,95%

Αρχή του επιστρώματος εξάτμισης:

η φυσική διαδικασία του επιστρώματος εξάτμισης από την υλική μεταφορά εξάτμισης στην απόθεση είναι η ακόλουθη:

1. Μετατρέψτε όλα τα είδη ενέργειας στην ενέργεια θερμότητας, θερμάνετε το υλικό επένδυσης για να εξατμίσετε ή θαυμάσιος, και να γίνετε μόρια αερίου (άτομα, μόρια ή ατομικές ομάδες) με ορισμένη ενέργεια (0.1-0.3ev)

2. Αφήνοντας την επιφάνεια του υλικού επένδυσης, τα αεριώδη μόρια με την ιδιαίτερη ταχύτητα μεταφέρονται στην επιφάνεια του υποστρώματος σε μια βασικά ελεύθερη γραμμική πτήση σύγκρουσης

3. Οι ταινίες στερεάς φάσης διαμορφώνονται από τη συμπύκνωση των αεριωδών μορίων στην επιφάνεια του υποστρώματος

4. Τα άτομα που αποτελούν την ταινία ρυθμίζονται εκ νέου ή συνδέονται χημικά.

Υπάρχουν πολλά είδη υλικών επιστρώματος εξάτμισης. Αυτή τη στιγμή, υπάρχουν εκατοντάδες τους χρησιμοποιούνται κυρίως στην αγορά. Η διαδικασία παραγωγής περιλαμβάνει κυρίως: Συντριβή κρυστάλλου, συντριβή τήξης, σχέδιο καλωδίων, κοπή καλωδίων, κοκκιοποίηση, κονιοποίηση, ταμπλέτα που πιέζουν, που πετούν, που φορμάρουν, κ.λπ. Η μορφή προϊόντων περιλαμβάνει κυρίως: ράβδος καλωδίων, σκόνη, ανώμαλο μόριο, μικρός κύλινδρος, μικρή σφαίρα, κώνος

Τα κύρια προϊόντα είναι:

ως εξής: (τα μόρια, οι φραγμοί και οι σκόνες μπορούν να προσαρμοστούν) μόρια αργιλίου 99,99% 3 * 3mm 99.999% 3 * μόρια χαλκού 3mm 99,99% 3 * 3mm 99.999% 3 * μόρια σιδήρου 3mm 99,9% 2 * μόρια τιτανίου 3mm 99,999% 6 * μόρια βαναδίου 6mm 99,9% 3 * μόρια νικελίου 3mm 99,999% 6 * μόρια χρωμίου 6mm 99,95% μόρια κοβαλτίου 35mm 99,95% μόρια μαγγάνιου 28mm 99,8% μόρια βάριου 1-10 χιλ. 99,6% μόρια ασβεστίου 26cm (ως deoxidizer) 99,5% μόρια βολφραμίου 13mm (χρησιμοποιημένος ως deoxidizer) 99,95% 6 * μόρια νιόβιου 6mm 99,95% 6 * μόρια μολυβδαίνιου 6mm 99,95% 6 * μόρια τανταλίου 6mm 99,95% 6 * μόρια ζιρκονίου 6mm 99,5% 1,6 * 5mm 99.95% 2,4 * hafnium κρυστάλλου 5mm ράβδοι 99,9% hafnium d21mm μόρια 99,9%.

Al αργιλίου υψηλής αγνότητας, $cu χαλκού υψηλής αγνότητας, Tj τιτανίου υψηλής αγνότητας, Si πυριτίου υψηλής αγνότητας, χρυσό Au υψηλής αγνότητας, ασημένιος άργυρος υψηλής αγνότητας, ίνδιο υψηλής αγνότητας μέσα, μαγνήσιο mg υψηλής αγνότητας, ZN ψευδάργυρου υψηλής αγνότητας, λευκόχρυσος PT υψηλής αγνότητας, γερμάνιο Γερμανία υψηλής αγνότητας, Νι νικελίου υψηλής αγνότητας, ταντάλιο TA υψηλής αγνότητας, χρυσό κράμα Auge γερμανίου, χρυσό auni κραμάτων νικελίου, κράμα NiCr χρωμίου νικελίου, κράμα αργιλίου τιτανίου TiAl, cuinga κραμάτων γαλλίου ίνδιου χαλκού, κράμα CuInGaSe σελήνιου γαλλίου ίνδιου χαλκού, κράμα αργιλίου ψευδάργυρου ZnAl, κράμα AlSi πυριτίου αργιλίου και άλλα υλικά επιστρώματος μετάλλων.

Θεωρία σχηματισμού φύτρων και αύξησης των υλικών λεπτών ταινιών

1. Η αυθόρμητη διαδικασία σχηματισμού φύτρων σχηματισμού φύτρων οδηγείται από την ελεύθερη ενέργεια μετάβασης φάσης.

2. Μη αυθόρμητος σχηματισμός φύτρων - εκτός από τη κινητήρια δύναμη της ελεύθερης ενέργειας μετάβασης φάσης, υπάρχουν άλλοι παράγοντες για να βοηθήσουν το σχηματισμό των νέων πυρήνων φάσης.

3. Πρότυπο ζωνών κρυστάλλου της αύξησης ταινιών

Υπάρχουν τρεις διαδικασίες της απόθεσης ατόμων: απόθεση ή προσρόφηση ατόμων ατμού, διάχυση επιφάνειας και μαζική διάχυση.

Ο σχηματισμός της δομής ταινιών είναι στενά συνδεδεμένος στη θερμοκρασία υποστρωμάτων TS/TM και η ενέργεια των κατατεθειμένων ατόμων. Το TS είναι η θερμοκρασία υποστρωμάτων και το TM είναι το σημείο τήξης του κατατεθειμένου υλικού.